10月，现代新与CNN（美国有线电视新闻网）合作首次直播民主党电视辩论。
当大于hc时，氢燃通过形成位错来降低应变。料电2DLT技术利用了vdWE和外延技术的优点来生成free-standing单晶膜。
这个过程可以是均匀的(在同一材料的基材上生长)，池汽车也可以是不均匀的(在不同材料的基材上生长)。随着异质材料异质集成需求的不断增长，中正式照各种不同的liftoff技术得到了发展，中正式照包括epitaxiallift-off (ELO)、机械剥离、laserlift-off和二维(2D)材料辅助层转移(2DLT)等。以InGaAsn型场效应晶体管(nFET)器件的3D单片集成为例，国版在SiGe-OI(绝缘体上)短通道p型FET(pFET)上生长和制备，国版以实现在供电电压VDD =0.25V下工作的最先进的CMOS逆变器。
[22]图7. 先进的外延lift-off和转移技术的异质集成器件6.展望在垂直堆叠多功能集成电路的晶圆片上生长器件品质的外延层，源牌将会大幅减少集成电路的足迹。尽管有了这些进展，现代新但与同型外延层相比，实现大晶格失配的异质外延层的良好晶体质量仍然具有挑战性，但同型外延往往需要非常昂贵的衬底。
氢燃异质外延的主要挑战来自于外延薄膜的应变。
例如，料电低温的grownbuffer抑制了岛状的Volmer-Weber生长，同时在生长的早期阶段促进了弛豫和逐层生长，这有利于在高温下高质量的目标外延层的后续生长。玩上半个小时，池汽车多备点水在旁边，猫咪玩累了就会乖乖的去休息，晚上也能安静的睡一会。
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